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InventChip IV1Q06040T4
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV1Q06040T4 |
| EBEE 부품 번호 | E82979249 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1284 | $ 12.1284 |
| 10+ | $11.0923 | $ 110.9230 |
| 30+ | $10.1390 | $ 304.1700 |
| 90+ | $9.3067 | $ 837.6030 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV1Q06040T4 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 40mΩ@20V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 10.8pF | |
| Pd - Power Dissipation | 348W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 72A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.692nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 179pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110.8nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $12.1284 | $ 12.1284 |
| 10+ | $11.0923 | $ 110.9230 |
| 30+ | $10.1390 | $ 304.1700 |
| 90+ | $9.3067 | $ 837.6030 |
