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InventChip IV1B12013HA1L
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IV1B12013HA1L |
| EBEE 부품 번호 | E85806854 |
| 패키지 | Through Hole,62.8x33.8mm |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | InventChip IV1B12013HA1L | |
| RoHS | ||
| Drain to Source Voltage | 1.2kV |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $151.0078 | $ 151.0078 |
| 30+ | $145.5011 | $ 4365.0330 |
