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Infineon Technologies IMZA65R048M1H
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IMZA65R048M1H |
| EBEE 부품 번호 | E8536298 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Infineon Technologies IMZA65R048M1H | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| 구성 | - | |
| RDS(켜짐) | 48mΩ@18V | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 13pF | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | - | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.118nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $7.5837 | $ 7.5837 |
| 10+ | $6.5100 | $ 65.1000 |
| 30+ | $5.7056 | $ 171.1680 |
| 90+ | $5.1577 | $ 464.1930 |
