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Infineon Technologies IMZA65R027M1H
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IMZA65R027M1H |
| EBEE 부품 번호 | E8536297 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
| 90+ | $6.4921 | $ 584.2890 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Infineon Technologies IMZA65R027M1H | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 34mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+150℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 22pF | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 59A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.131nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 317pF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
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| 1+ | $9.0515 | $ 9.0515 |
| 10+ | $7.8448 | $ 78.4480 |
| 30+ | $7.1097 | $ 213.2910 |
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