| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IMW120R140M1HXKSA1 |
| EBEE 부품 번호 | E86210721 |
| 패키지 | TO-247-3-41 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2175 | $ 5.2175 |
| 10+ | $5.0947 | $ 50.9470 |
| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Infineon Technologies IMW120R140M1HXKSA1 | |
| RoHS | ||
| RDS(켜짐) | 140mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 94W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 19A | |
| Ciss-Input Capacitance | 454pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2175 | $ 5.2175 |
| 10+ | $5.0947 | $ 50.9470 |
| 30+ | $5.0119 | $ 150.3570 |
| 90+ | $4.9306 | $ 443.7540 |
