Recommonended For You
이미지는 참고용입니다
즐겨찾기에 추가
Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | IMBF170R650M1XTMA1 |
| EBEE 부품 번호 | E83289295 |
| 패키지 | TO-263-7-13 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-263-7-13 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>46 재고 있음 바로 배송 가능
46 바로 배송 가능1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0394 | $ 5.0394 |
| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
| 1000+ | $3.1865 | $ 3186.5000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Infineon Technologies IMBF170R650M1XTMA1 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 650mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 1.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 88W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 422pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 12pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8nC |
쇼핑 가이드
펼치기
46 Stock for Shipping Fast
46 available for immediate shipping1-2 영업일 내 배송 가능
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.0394 | $ 5.0394 |
| 10+ | $4.3265 | $ 43.2650 |
| 30+ | $3.9026 | $ 117.0780 |
| 100+ | $3.4739 | $ 347.3900 |
| 500+ | $3.2770 | $ 1638.5000 |
| 1000+ | $3.1865 | $ 3186.5000 |
더 많은 수량에 대한 최적 가격?
$
