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Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1


제조사
제조사 부품 번호
AIMW120R060M1HXKSA1
EBEE 부품 번호
E83278942
패키지
TO-247-3-41
고객 번호
데이터시트
EDA 모델
ECCN
EAR99
설명
TO-247-3-41 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
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연락처 이름
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회사명
국가
품질
판매 단위: Piece전체 봉지: 200
수량단가소계
1+$21.8201$ 21.8201
10+$20.8394$ 208.3940
30+$19.1410$ 574.2300
100+$17.6584$ 1765.8400
유형설명
전체 선택
카테고리실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
데이터시트Infineon Technologies AIMW120R060M1HXKSA1
RoHS
유형N-Channel
Pd - Power Dissipation150W
Drain to Source Voltage1.2kV
Current - Continuous Drain(Id)36A

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