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HXY MOSFET HC3M00160120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC3M00160120D |
| EBEE 부품 번호 | E822449549 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
| 90+ | $3.4831 | $ 313.4790 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC3M00160120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 160mΩ@20V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9658 | $ 4.9658 |
| 10+ | $4.2666 | $ 42.6660 |
| 30+ | $3.8412 | $ 115.2360 |
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