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HXY MOSFET HC2M0650170D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC2M0650170D |
| EBEE 부품 번호 | E841428806 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
더 알아보기 >>재고 있음 : 문의하세요
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2789 | $ 5.2789 |
| 10+ | $4.5304 | $ 45.3040 |
| 30+ | $4.0852 | $ 122.5560 |
| 90+ | $3.6340 | $ 327.0600 |
| 510+ | $3.4257 | $ 1747.1070 |
| 990+ | $3.3321 | $ 3298.7790 |
추천 제품
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC2M0650170D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 62W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 198pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2789 | $ 5.2789 |
| 10+ | $4.5304 | $ 45.3040 |
| 30+ | $4.0852 | $ 122.5560 |
| 90+ | $3.6340 | $ 327.0600 |
| 510+ | $3.4257 | $ 1747.1070 |
| 990+ | $3.3321 | $ 3298.7790 |
