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HXY MOSFET HC2M0080120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC2M0080120D |
| EBEE 부품 번호 | E819723850 |
| 패키지 | TO-247-3L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9354 | $ 3.9354 |
| 10+ | $3.3640 | $ 33.6400 |
| 30+ | $3.0250 | $ 90.7500 |
| 90+ | $2.6817 | $ 241.3530 |
| 510+ | $2.5235 | $ 1286.9850 |
| 990+ | $2.4525 | $ 2427.9750 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC2M0080120D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 98mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 192W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 36A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 92pF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC |
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| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.9354 | $ 3.9354 |
| 10+ | $3.3640 | $ 33.6400 |
| 30+ | $3.0250 | $ 90.7500 |
| 90+ | $2.6817 | $ 241.3530 |
| 510+ | $2.5235 | $ 1286.9850 |
| 990+ | $2.4525 | $ 2427.9750 |
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