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HXY MOSFET HC1M60120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1M60120D |
| EBEE 부품 번호 | E841428810 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1M60120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | - | |
| Operating Temperature - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.1pF | |
| Pd - Power Dissipation | 214W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 940pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 59pF | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $6.6698 | $ 6.6698 |
| 10+ | $5.7548 | $ 57.5480 |
| 30+ | $5.1968 | $ 155.9040 |
| 90+ | $4.7284 | $ 425.5560 |
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