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HXY MOSFET HC1M40120J
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1M40120J |
| EBEE 부품 번호 | E841428801 |
| 패키지 | TO-263-7L |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1M40120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
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59 Stock for Shipping Fast
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| 수량 | 단가 | 소계 |
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| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
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