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HXY MOSFET HC1M40120D
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | HC1M40120D |
| EBEE 부품 번호 | E841428809 |
| 패키지 | TO-247 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HC1M40120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
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