| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | G3R12MT12K |
| EBEE 부품 번호 | E86048360 |
| 패키지 | TO-247-4 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K | |
| RoHS | ||
| 전력 소비 | 567W | |
| 연속 배수 전류 | 157A | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 전압 | 1200V |
RFQ를 보내주시면 즉시 응답하겠습니다.
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $163.6173 | $ 163.6173 |
| 210+ | $65.2846 | $ 13709.7660 |
| 510+ | $63.1045 | $ 32183.2950 |
| 990+ | $62.0259 | $ 61405.6410 |
