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Bruckewell CMS120N080B
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | CMS120N080B |
| EBEE 부품 번호 | E829781281 |
| 패키지 | TO-263-7 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | EAR99 |
| 설명 | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.6691 | $ 21.6691 |
| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
| 30+ | $19.3401 | $ 580.2030 |
| 100+ | $18.0516 | $ 1805.1600 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | Bruckewell CMS120N080B | |
| RoHS | ||
| 전력 소비 | 188W | |
| 총 게이트 요금 | 61nC | |
| 연속 배수 전류 | 35A | |
| 구성 | - | |
| 채널 유형 | 1 N-Channel | |
| 드레인 소스 온상태 저항(15V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(18V) | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(20V) | 77mΩ | |
| 캡슐화된 유형 | - | |
| 드레인 소스 온상태 저항(10V) | - | |
| 드레인 소스 전압 | 1200V | |
| 드레인 소스 임계 전압 | 4V |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $21.6691 | $ 21.6691 |
| 10+ | $20.8173 | $ 208.1730 |
| 30+ | $19.3401 | $ 580.2030 |
| 100+ | $18.0516 | $ 1805.1600 |
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