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ANHI ADP120N080G2
| 제조사 | |
| 제조사 부품 번호 | ADP120N080G2 |
| EBEE 부품 번호 | E822470090 |
| 패키지 | TO-220 |
| 고객 번호 | |
| 데이터시트 | |
| EDA 모델 | |
| ECCN | - |
| 설명 | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
이 재료는 맞춤형 케이블을 지원합니다!
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
| 1000+ | $2.2863 | $ 2286.3000 |
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| 유형 | 설명 | 전체 선택 |
|---|---|---|
| 카테고리 | 실리콘 카바이드(SiC) 장치 ,실리콘 카바이드 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) | |
| 데이터시트 | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| 유형 | N-Channel | |
| RDS(켜짐) | 100mΩ | |
| 작동 온도 - | -55℃~+175℃ | |
| 역전송 용량(Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
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판매 단위: Piece전체 봉지: 200
| 수량 | 단가 | 소계 |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
| 1000+ | $2.2863 | $ 2286.3000 |
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