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ROHM Semicon EMG3T2R
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | EMG3T2R |
| Codice Parte EBEE | E82941610 |
| Confezione | SOT-553-5 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100@1mA,5V 150mW 100mA 50V SOT-553-5 Digital Transistors ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased | |
| Scheda Tecnica | ROHM EMG3T2R | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | NPN | |
| Resistore di ingresso | 4.7kΩ | |
| Collector - Emitter Voltage VCEO | 50V | |
| Current - Collector(Ic) | 100mA | |
| Number | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| DC Current Gain | 100 | |
| Current - Collector Cutoff | 500nA | |
| Emitter-Base Voltage VEBO | 5V | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 300mV | |
| Transition frequency(fT) | 250MHz |
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