Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

onsemi MUN5311DW1T1G


Produttore
Codice Parte Mfr.
MUN5311DW1T1G
Codice Parte EBEE
E8152542
Confezione
SOT-363
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SC-70-6(SOT-363) Digital Transistors ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
6240 In Magazzino per Consegna Rapida
6240 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
10+$0.0632$ 0.6320
100+$0.0507$ 5.0700
300+$0.0444$ 13.3200
3000+$0.0372$ 111.6000
6000+$0.0335$ 201.0000
9000+$0.0316$ 284.4000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Scheda Tecnicaonsemi MUN5311DW1T1G
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipoNPN+PNP
Resistore di ingresso10kΩ
Rapporto di resistenza1
Tensione di ingresso (VI(on)-Ic,Vce)2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased
Pd - Power Dissipation187mW
DC Current Gain35
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.2V

Guida all’acquisto

Espandi