Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti

onsemi MUN5233DW1T1G


Produttore
Codice Parte Mfr.
MUN5233DW1T1G
Codice Parte EBEE
E8182463
Confezione
SOT-363
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>
4700 In Magazzino per Consegna Rapida
4700 disponibile per consegna immediata
Può essere spedito in 1-2 Giorni Lavorativi
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
10+$0.0623$ 0.6230
100+$0.0505$ 5.0500
300+$0.0445$ 13.3500
3000+$0.0388$ 116.4000
6000+$0.0353$ 211.8000
9000+$0.0335$ 301.5000
Miglior prezzo per quantità maggiori?
$
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Scheda Tecnicaonsemi MUN5233DW1T1G
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipoNPN
Resistore di ingresso4.7kΩ
Rapporto di resistenza0.1
Tensione di ingresso (VI(on)-Ic,Vce)900mV@5mA,0.2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation187mW
DC Current Gain80
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))600mV@100uA,5V

Guida all’acquisto

Espandi