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onsemi MUN5211DW1T1G


Produttore
Codice Parte Mfr.
MUN5211DW1T1G
Codice Parte EBEE
E8152507
Confezione
SOT-363
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
[email protected],10V 187mW 100mA 50V SOT-363 Digital Transistors ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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9000+$0.0409$ 368.1000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Scheda Tecnicaonsemi MUN5211DW1T1G
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃
Tipo di tipoNPN
Resistore di ingresso13kΩ
Rapporto di resistenza1
Tensione di ingresso (VI(on)-Ic,Vce)2V
Collector - Emitter Voltage VCEO50V
Current - Collector(Ic)100mA
Number2 NPN (Pre-Biased)
Pd - Power Dissipation256mW
DC Current Gain35
Current - Collector Cutoff100nA
Vce Saturation(VCE(sat))250mV
Output Voltage(VO(on))200mV
Voltage - Input(Max)(VI(off))1.2V

Guida all’acquisto

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