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Infineon Technologies FP25R12W2T4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FP25R12W2T4 |
| Codice Parte EBEE | E8534015 |
| Confezione | Through Hole,62.8x56.7mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Scheda Tecnica | Infineon FP25R12W2T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 39A | |
| Pd - Power Dissipation | 175W | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@25A,15V | |
| Td(off) | 190ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.05nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.45mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.6mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 50A |
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