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Infineon Technologies FP10R12W1T4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FP10R12W1T4 |
| Codice Parte EBEE | E8541162 |
| Confezione | Through Hole,62.8x33.8mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Scheda Tecnica | Infineon FP10R12W1T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 20A | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@10A,15V | |
| Td(off) | 180ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.024nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 550uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 900uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 600pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A |
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