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Infineon Technologies FF200R12KS4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FF200R12KS4 |
| Codice Parte EBEE | E8540999 |
| Confezione | Screw Terminals |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Scheda Tecnica | Infineon FF200R12KS4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+125℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | 4.5V@8mA | |
| Current - Collector(Ic) | 275A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.85V@200A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.85nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 12mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 19mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 400A |
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