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Infineon Technologies FP40R12KT3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FP40R12KT3 |
| Codice Parte EBEE | E8534037 |
| Confezione | Through Hole,107.5x45mm |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 1+ | $43.9377 | $ 43.9377 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Scheda Tecnica | Infineon FP40R12KT3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+125℃ | |
| Tensione di rottura del collettore-emettitore (Vces) | 1.2kV | |
| Porta-emettitore Tensione della soglia (Vge(th)-Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 40A | |
| Pd - Power Dissipation | 210W | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.8V@40A,15V | |
| Td(off) | 420ns | |
| Td(on) | 90ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.09nF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.6mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 4.1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | - | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 80A |
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