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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YFW50N06AD |
| Référence EBEE | E83039970 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 14mΩ@10V,20A 45W 2V@250μA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1883 | $ 0.9415 |
| 50+ | $0.1508 | $ 7.5400 |
| 150+ | $0.1348 | $ 20.2200 |
| 500+ | $0.1148 | $ 57.4000 |
| 2500+ | $0.0920 | $ 230.0000 |
| 5000+ | $0.0867 | $ 433.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | YFW YFW50N06AD | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 17mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 88pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.714nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1883 | $ 0.9415 |
| 50+ | $0.1508 | $ 7.5400 |
| 150+ | $0.1348 | $ 20.2200 |
| 500+ | $0.1148 | $ 57.4000 |
| 2500+ | $0.0920 | $ 230.0000 |
| 5000+ | $0.0867 | $ 433.5000 |
