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GOFORD G12P10KE-B
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G12P10KE-B |
| Référence EBEE | E822362828 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOFORD G12P10KE-B | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 350mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 41pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 44.6W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 12A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.652nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 42pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 5+ | $0.0699 | $ 0.3495 |
| 50+ | $0.0556 | $ 2.7800 |
| 150+ | $0.0485 | $ 7.2750 |
| 500+ | $0.0431 | $ 21.5500 |
| 2500+ | $0.0403 | $ 100.7500 |
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