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GOFORD GC20N65QD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | GC20N65QD |
| Référence EBEE | E819673804 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 20A 164mΩ@10V 5V 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4325 | $ 1.4325 |
| 10+ | $1.2196 | $ 12.1960 |
| 30+ | $1.0362 | $ 31.0860 |
| 90+ | $0.9002 | $ 81.0180 |
| 360+ | $0.8387 | $ 301.9320 |
| 1080+ | $0.8118 | $ 876.7440 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOFORD GC20N65QD | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 151W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.729nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 41pF | |
| Gate Charge(Qg) | 39nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4325 | $ 1.4325 |
| 10+ | $1.2196 | $ 12.1960 |
| 30+ | $1.0362 | $ 31.0860 |
| 90+ | $0.9002 | $ 81.0180 |
| 360+ | $0.8387 | $ 301.9320 |
| 1080+ | $0.8118 | $ 876.7440 |
