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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | G1003B-23 |
| Référence EBEE | E822362809 |
| Boîtier | SOT-23-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0227 | $ 0.4540 |
| 200+ | $0.0175 | $ 3.5000 |
| 600+ | $0.0146 | $ 8.7600 |
| 3000+ | $0.0137 | $ 41.1000 |
| 12000+ | $0.0122 | $ 146.4000 |
| 18000+ | $0.0114 | $ 205.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | GOFORD G1003B-23 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 180mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 570pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0227 | $ 0.4540 |
| 200+ | $0.0175 | $ 3.5000 |
| 600+ | $0.0146 | $ 8.7600 |
| 3000+ | $0.0137 | $ 41.1000 |
| 12000+ | $0.0122 | $ 146.4000 |
| 18000+ | $0.0114 | $ 205.2000 |
