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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YFW3N10MI |
| Référence EBEE | E841433778 |
| Boîtier | SOT-23-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0717 | $ 0.7170 |
| 100+ | $0.0581 | $ 5.8100 |
| 300+ | $0.0513 | $ 15.3900 |
| 3000+ | $0.0470 | $ 141.0000 |
| 6000+ | $0.0429 | $ 257.4000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | YFW YFW3N10MI | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 90pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 400mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 690pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 15.5nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0717 | $ 0.7170 |
| 100+ | $0.0581 | $ 5.8100 |
| 300+ | $0.0513 | $ 15.3900 |
| 3000+ | $0.0470 | $ 141.0000 |
| 6000+ | $0.0429 | $ 257.4000 |
| 9000+ | $0.0409 | $ 368.1000 |
