| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YJD60N02A |
| Référence EBEE | E8699270 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 60A 14mΩ@1.8V,10A 35W 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1872 | $ 0.9360 |
| 50+ | $0.1525 | $ 7.6250 |
| 150+ | $0.1377 | $ 20.6550 |
| 500+ | $0.1190 | $ 59.5000 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
| 5000+ | $0.0877 | $ 438.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Yangzhou Yangjie Elec Tech YJD60N02A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 14mΩ@1.8V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 205pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.45nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1872 | $ 0.9360 |
| 50+ | $0.1525 | $ 7.6250 |
| 150+ | $0.1377 | $ 20.6550 |
| 500+ | $0.1190 | $ 59.5000 |
| 2500+ | $0.0928 | $ 232.0000 |
| 5000+ | $0.0877 | $ 438.5000 |
