| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MG200HF12MIC2 |
| Référence EBEE | E8781190 |
| Boîtier | Screw Terminals |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $66.2411 | $ 66.2411 |
| 10+ | $61.6898 | $ 616.8980 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Yangzhou Yangjie Elec Tech MG200HF12MIC2 | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@4mA | |
| Pd - Power Dissipation | 1.36kW | |
| Td(off) | 282ns | |
| Td(on) | 135ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.62nF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 175ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 12.5mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 8.5mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 12.6nF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $66.2411 | $ 66.2411 |
| 10+ | $61.6898 | $ 616.8980 |
