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onsemi AFGY120T65SPD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AFGY120T65SPD |
| Référence EBEE | E82902243 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 714W 160A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 10+ | $12.4016 | $ 124.0160 |
| 30+ | $11.4094 | $ 342.2820 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | onsemi AFGY120T65SPD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.05V@15V,120A | |
| Pd - Power Dissipation | 714W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC | |
| Td(off) | 80ns | |
| Td(on) | 40ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 107ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 6.6mJ |
Guide d’achat
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| 1+ | $12.9734 | $ 12.9734 |
| 10+ | $12.4016 | $ 124.0160 |
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