Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

onsemi AFGY120T65SPD


Fabricant
Référence Fabricant
AFGY120T65SPD
Référence EBEE
E82902243
Boîtier
TO-247-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
714W 160A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
En stock: 10
Minimum : 1Multiples : 1
Prix unitaire
$ 14.1049
Prix total
$ 14.1049
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$14.1049$ 14.1049
10+$12.9776$ 129.7760
30+$12.0276$ 360.8280
90+$11.2007$ 1008.0630
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche Techniqueonsemi AFGY120T65SPD
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+175℃@(Tj)
TypeFS(Field Stop)
Courant du collecteur (Ic)160A
Dissipation de puissance (Pd)714W
Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off))80ns
Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on))40ns
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)650V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)2.05V@15V,120A
Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge)125nC
Délai de récupération inverse de la diode (Trr)107ns
Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff)3.8mJ
Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon)6.6mJ

Guide d’achat

Développer