| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AFGY120T65SPD |
| Référence EBEE | E82902243 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 714W 160A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $14.1049 | $ 14.1049 |
| 10+ | $12.9776 | $ 129.7760 |
| 30+ | $12.0276 | $ 360.8280 |
| 90+ | $11.2007 | $ 1008.0630 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | onsemi AFGY120T65SPD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 160A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 714W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 80ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 40ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.05V@15V,120A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 125nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 107ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 3.8mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 6.6mJ |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $14.1049 | $ 14.1049 |
| 10+ | $12.9776 | $ 129.7760 |
| 30+ | $12.0276 | $ 360.8280 |
| 90+ | $11.2007 | $ 1008.0630 |
