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Infineon Technologies IGW30N60H3FKSA1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IGW30N60H3FKSA1 |
| Référence EBEE | E82997917 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 187W 60A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IGW30N60H3FKSA1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 187W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC | |
| Td(off) | 207ns | |
| Td(on) | 21ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 50pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 440uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 940uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.63nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 107pF |
Guide d’achat
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