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MASPOWER ESJ100SH60N
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ESJ100SH60N |
| Référence EBEE | E837635852 |
| Boîtier | FD7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | FD7 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | MASPOWER ESJ100SH60N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+125℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.5V@250uA | |
| IGBT Type | NPT (Non-Punch Through) | |
| Gate Charge(Qg) | 560nC@15V | |
| Td(off) | 250ns | |
| Td(on) | 120ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 280pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 5.85nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 200A | |
| Output Capacitance(Coes) | 780pF |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 1+ | $22.1222 | $ 22.1222 |
