| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MG150HF12MIC2 |
| Référence EBEE | E8781186 |
| Boîtier | Screw Terminals |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.7395 | $ 57.7395 |
| 10+ | $53.0746 | $ 530.7460 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Yangzhou Yangjie Elec Tech MG150HF12MIC2 | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@4mA | |
| Pd - Power Dissipation | 1kW | |
| Gate Charge(Qg) | 275nC@15V | |
| Td(off) | 226ns | |
| Td(on) | 116ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.42nF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 180ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 8.6mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 7mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 10nF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $57.7395 | $ 57.7395 |
| 10+ | $53.0746 | $ 530.7460 |
