| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TX50N06 |
| Référence EBEE | E8448633 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 20mΩ@10V,20A 85W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2468 | $ 1.2340 |
| 50+ | $0.1958 | $ 9.7900 |
| 150+ | $0.1740 | $ 26.1000 |
| 500+ | $0.1467 | $ 73.3500 |
| 2500+ | $0.1347 | $ 336.7500 |
| 5000+ | $0.1273 | $ 636.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | XDS TX50N06 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2468 | $ 1.2340 |
| 50+ | $0.1958 | $ 9.7900 |
| 150+ | $0.1740 | $ 26.1000 |
| 500+ | $0.1467 | $ 73.3500 |
| 2500+ | $0.1347 | $ 336.7500 |
| 5000+ | $0.1273 | $ 636.5000 |
