| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DHS065N10B |
| Référence EBEE | E817179516 |
| Boîtier | TO-251B |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 100A 6.5mΩ@10V,50A 172W 3V@250uA 1 N-channel TO-251B MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3207 | $ 0.3207 |
| 10+ | $0.3135 | $ 3.1350 |
| 30+ | $0.3099 | $ 9.2970 |
| 100+ | $0.3045 | $ 30.4500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WXDH DHS065N10B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 172W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 73pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4027pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 53nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3207 | $ 0.3207 |
| 10+ | $0.3135 | $ 3.1350 |
| 30+ | $0.3099 | $ 9.2970 |
| 100+ | $0.3045 | $ 30.4500 |
