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WXDH D4N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | D4N65 |
| Référence EBEE | E817179518 |
| Boîtier | TO-252B |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 4A 2.4Ω@10V,2A 75W 3V@250uA 1 N-channel TO-252B MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1206 | $ 0.6030 |
| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
| 150+ | $0.1162 | $ 17.4300 |
| 500+ | $0.1143 | $ 57.1500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | WXDH D4N65 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4Ω@10V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 75W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3.5pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 610pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 14.5nC@10V |
Guide d’achat
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| 50+ | $0.1180 | $ 5.9000 |
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