| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE60P50K |
| Référence EBEE | E8130104 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 28mΩ@10V,20A 95W 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5798 | $ 0.5798 |
| 10+ | $0.4721 | $ 4.7210 |
| 30+ | $0.4183 | $ 12.5490 |
| 100+ | $0.3716 | $ 37.1600 |
| 500+ | $0.3590 | $ 179.5000 |
| 1000+ | $0.3501 | $ 350.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P50K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 28mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 95W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 535pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 6.46nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 75nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5798 | $ 0.5798 |
| 10+ | $0.4721 | $ 4.7210 |
| 30+ | $0.4183 | $ 12.5490 |
| 100+ | $0.3716 | $ 37.1600 |
| 500+ | $0.3590 | $ 179.5000 |
| 1000+ | $0.3501 | $ 350.1000 |
