| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE60P25K |
| Référence EBEE | E8130105 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 25A 45mΩ@10V,20A 90W 3.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2406 | $ 1.2030 |
| 50+ | $0.1891 | $ 9.4550 |
| 150+ | $0.1604 | $ 24.0600 |
| 500+ | $0.1432 | $ 71.6000 |
| 2500+ | $0.1283 | $ 320.7500 |
| 5000+ | $0.1203 | $ 601.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P25K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 25A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 90W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 272pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.43nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 46nC@30V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2406 | $ 1.2030 |
| 50+ | $0.1891 | $ 9.4550 |
| 150+ | $0.1604 | $ 24.0600 |
| 500+ | $0.1432 | $ 71.6000 |
| 2500+ | $0.1283 | $ 320.7500 |
| 5000+ | $0.1203 | $ 601.5000 |
