| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE60P12K |
| Référence EBEE | E8326372 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 12A 100mΩ@10V,12A 60W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2637 | $ 1.3185 |
| 50+ | $0.2169 | $ 10.8450 |
| 150+ | $0.1969 | $ 29.5350 |
| 500+ | $0.1718 | $ 85.9000 |
| 2500+ | $0.1607 | $ 401.7500 |
| 5000+ | $0.1540 | $ 770.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P12K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@10V,12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 77.3pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.6307nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 37.6nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2637 | $ 1.3185 |
| 50+ | $0.2169 | $ 10.8450 |
| 150+ | $0.1969 | $ 29.5350 |
| 500+ | $0.1718 | $ 85.9000 |
| 2500+ | $0.1607 | $ 401.7500 |
| 5000+ | $0.1540 | $ 770.0000 |
