| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE60P04Y |
| Référence EBEE | E8102608 |
| Boîtier | SOT-23-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 4A 120mΩ@10V,4A 1.5W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1113 | $ 0.5565 |
| 50+ | $0.0917 | $ 4.5850 |
| 150+ | $0.0806 | $ 12.0900 |
| 500+ | $0.0741 | $ 37.0500 |
| 6000+ | $0.0653 | $ 391.8000 |
| 9000+ | $0.0645 | $ 580.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P04Y | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 120mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 35pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 930pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 25nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1113 | $ 0.5565 |
| 50+ | $0.0917 | $ 4.5850 |
| 150+ | $0.0806 | $ 12.0900 |
| 500+ | $0.0741 | $ 37.0500 |
| 6000+ | $0.0653 | $ 391.8000 |
| 9000+ | $0.0645 | $ 580.5000 |
