| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE6050A |
| Référence EBEE | E8502821 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 20mΩ@10V,20A 85W 2.5V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2904 | $ 1.4520 |
| 50+ | $0.2362 | $ 11.8100 |
| 150+ | $0.2131 | $ 31.9650 |
| 500+ | $0.1841 | $ 92.0500 |
| 2000+ | $0.1712 | $ 342.4000 |
| 5000+ | $0.1635 | $ 817.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6050A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.05nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 50nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2904 | $ 1.4520 |
| 50+ | $0.2362 | $ 11.8100 |
| 150+ | $0.2131 | $ 31.9650 |
| 500+ | $0.1841 | $ 92.0500 |
| 2000+ | $0.1712 | $ 342.4000 |
| 5000+ | $0.1635 | $ 817.5000 |
