| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE6045XG |
| Référence EBEE | E817702026 |
| Boîtier | DFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 60V 45A 60W 11.4mΩ@4.5V,20A 1.2V@250uA 1 N-Channel DFN-8(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4160 | $ 2.0800 |
| 1000+ | $0.1661 | $ 166.1000 |
| 2500+ | $0.1605 | $ 401.2500 |
| 5000+ | $0.1578 | $ 789.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6045XG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 45A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 11.4mΩ@4.5V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 60W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 152pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.75nF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 60nC@30V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.4160 | $ 2.0800 |
| 1000+ | $0.1661 | $ 166.1000 |
| 2500+ | $0.1605 | $ 401.2500 |
| 5000+ | $0.1578 | $ 789.0000 |
