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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF


Fabricant
Référence Fabricant
NCE30TD60BF
Référence EBEE
E8502942
Boîtier
TO-220F-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
35.5W 60A 600V TO-220F-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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203 disponible pour livraison immédiate
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.4822$ 1.4822
10+$1.2683$ 12.6830
50+$1.1524$ 57.6200
100+$1.0183$ 101.8300
500+$0.9604$ 480.2000
1000+$0.9332$ 933.2000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueWuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type-
Courant du collecteur (Ic)60A
Dissipation de puissance (Pd)35.5W
Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off))166ns
Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on))19ns
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)600V
Capacité d'entrée (Cies-Vce)3.552nF@25V
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)5V@1mA
Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge)132nC@30A,15V
Délai de récupération inverse de la diode (Trr)178ns
Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff)0.32mJ
Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon)0.36mJ
Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge)1.7V@30A,15V
Tension avancée de diode (Vf-If)1.7V@30A

Guide d’achat

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