| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE30TD60BF |
| Référence EBEE | E8502942 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 35.5W 60A 600V TO-220F-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4822 | $ 1.4822 |
| 10+ | $1.2683 | $ 12.6830 |
| 50+ | $1.1524 | $ 57.6200 |
| 100+ | $1.0183 | $ 101.8300 |
| 500+ | $0.9604 | $ 480.2000 |
| 1000+ | $0.9332 | $ 933.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35.5W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 166ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 19ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | 3.552nF@25V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@1mA | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 132nC@30A,15V | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 178ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 0.32mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 0.36mJ | |
| Tension de saturation des émetteurs de collecteur (VCE(sat)-Ic,Vge) | 1.7V@30A,15V | |
| Tension avancée de diode (Vf-If) | 1.7V@30A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4822 | $ 1.4822 |
| 10+ | $1.2683 | $ 12.6830 |
| 50+ | $1.1524 | $ 57.6200 |
| 100+ | $1.0183 | $ 101.8300 |
| 500+ | $0.9604 | $ 480.2000 |
| 1000+ | $0.9332 | $ 933.2000 |
