| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE30P12S |
| Référence EBEE | E8167515 |
| Boîtier | SOIC-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@4.5V,7A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 180pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.75nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 24nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.1927 | $ 1.9270 |
| 100+ | $0.1519 | $ 15.1900 |
| 300+ | $0.1293 | $ 38.7900 |
| 1000+ | $0.1157 | $ 115.7000 |
| 5000+ | $0.1040 | $ 520.0000 |
| 8000+ | $0.0976 | $ 780.8000 |
