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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S


Fabricant
Référence Fabricant
NCE30P12S
Référence EBEE
E8167515
Boîtier
SOIC-8
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
Description
30V 12A 25mΩ@4.5V,7A 3W 1.5V@250uA 1 Piece P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
10+$0.1927$ 1.9270
100+$0.1519$ 15.1900
300+$0.1293$ 38.7900
1000+$0.1157$ 115.7000
5000+$0.1040$ 520.0000
8000+$0.0976$ 780.8000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueWuxi NCE Power Semiconductor NCE30P12S
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 Piece P-Channel
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)12A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)25mΩ@4.5V,7A
Dissipation de puissance (Pd)3W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)1.5V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)180pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1.75nF@15V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)24nC

Guide d’achat

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