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Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE0103M |
| Référence EBEE | E8161844 |
| Boîtier | SOT-89-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 3A 170mΩ@4.5V,3A 1.5W 1V@250uA 1 N-channel SOT-89-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
| 5000+ | $0.0874 | $ 437.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi NCE Power Semiconductor NCE0103M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 170mΩ@4.5V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 650pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC@50V |
Guide d’achat
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| 5+ | $0.1504 | $ 0.7520 |
| 50+ | $0.1240 | $ 6.2000 |
| 150+ | $0.1106 | $ 16.5900 |
| 1000+ | $0.0994 | $ 99.4000 |
| 2000+ | $0.0914 | $ 182.8000 |
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