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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS8N60A8H
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS8N60A8H |
| Référence EBEE | E82833624 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 600V 8A 0.8Ω@10V,4A 110W 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5884 | $ 0.5884 |
| 10+ | $0.4768 | $ 4.7680 |
| 50+ | $0.4210 | $ 21.0500 |
| 100+ | $0.3667 | $ 36.6700 |
| 500+ | $0.3335 | $ 166.7500 |
| 1000+ | $0.3169 | $ 316.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS8N60A8H | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.253nF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5884 | $ 0.5884 |
| 10+ | $0.4768 | $ 4.7680 |
| 50+ | $0.4210 | $ 21.0500 |
| 100+ | $0.3667 | $ 36.6700 |
| 500+ | $0.3335 | $ 166.7500 |
| 1000+ | $0.3169 | $ 316.9000 |
