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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R


Fabricant
Référence Fabricant
CS7N65FA9R
Référence EBEE
E8140750
Boîtier
TO-220F
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
650V 7A 35W 1.2Ω@10V,3.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
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10+$0.3002$ 3.0020
50+$0.2646$ 13.2300
100+$0.2182$ 21.8200
500+$0.1981$ 99.0500
1000+$0.1857$ 185.7000
2000+$0.1826$ 365.2000
4000+$0.1811$ 724.4000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueWuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65FA9R
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)1.4Ω@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)5.5pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation35W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance1.13nF
Output Capacitance(Coss)93pF
Gate Charge(Qg)24nC@10V

Guide d’achat

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