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Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65A3R
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CS7N65A3R |
| Référence EBEE | E8140739 |
| Boîtier | TO-251(IPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 7A 100W 1.4Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4147 | $ 0.4147 |
| 10+ | $0.3259 | $ 3.2590 |
| 30+ | $0.2892 | $ 8.6760 |
| 100+ | $0.2418 | $ 24.1800 |
| 500+ | $0.2204 | $ 110.2000 |
| 1000+ | $0.2066 | $ 206.6000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS7N65A3R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.4Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.13nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 93pF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4147 | $ 0.4147 |
| 10+ | $0.3259 | $ 3.2590 |
| 30+ | $0.2892 | $ 8.6760 |
| 100+ | $0.2418 | $ 24.1800 |
| 500+ | $0.2204 | $ 110.2000 |
| 1000+ | $0.2066 | $ 206.6000 |
